中国半導体大手、紫光集団傘下の長江存儲科技（長江メモリー・テクノロジーズ、YMTC）は、128層のQLC(4ビット/セル)3D NAND型フラッシュメモリーの開発に成功し、複数企業のSSDなどの端末メモリー製品での検証も終わり、来年上半期には量産に入る見通しである。このフラッシュメモリーは1.33TBのメモリー容量と1.6Gbpsのデータ伝達速度があり、業界内の既存の型番製品の中では最高ランクのメモリー密度と伝達速度を有する。

長江存儲科技は世界をリードするメモリー装置ソリューション企業で、清華大学の科学研究に依拠し2017年に中国初の国産3D NANDフラッシュメモリーの研究開発に成功している。同社はこの3年で32層から128層までたどり着いたとの見解を示した。標準レベルのSSDにまず応用されたあと、段階的に企業のサーバー、データセンターなどの分野で応用される。

解説

5G、AI(人工知能)のテクノロジーの発展は多元化されたデータメモリー需要の成長をけん引している。標準レベルのSSD容量が512GB以上になっていることで、QLCフラッシュメモリーの今後の見通しは明るい。コンサルタント企業GARTNERは、半導体需給関係も新型コロナウイルスの感染拡大の影響を受け、2020年世界の半導体収益は0.9％下がるが、メモリー市場のNANDフラッシュメモリー収益は逆に40％増になると予測している。長江存儲の新技術はAI、機械学習などの読取り集約型アプリにはより適しており、今後企業側の市場がさらに開拓されると思われる。

※本記事は「中国商業新聞CBNS」の提供です。

原文はこちら