窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスを開発する中国スタートアップ「鎵未来（GaNext）」（全称、珠海鎵未来科技）がこのほど、シリーズBの2回目の追加ラウンドで北海山旁辺投資から約1億元（約20億円）を調達した。資金は高電圧・高効率製品の開発やサプライチェーン構築などに充てられる。

GaNパワーデバイスとは、ワイドバンドギャップ半導体材料GaNを用いた第3世代のパワーデバイスで、高周波・高出力・高効率の電力変換で幅広く活用されている。

鎵未来は2020年10月設立。現在は40種類以上の製品を展開し、650ボルトと900ボルトの電圧領域で出力30ワットから1キロワットまでをカバーする。第3世代の半導体設計プラットフォームに基づく新製品も25年前半に信頼性評価を完了し、量産・出荷が始まっている。

鎵未来の製品は、スマートフォンやノートPC、再生可能エネルギー、データセンター、新エネルギー車（NEV）といった分野に供給されており、主な顧客にはパソコン大手のレノボやスマホ大手のシャオミ、太陽光発電関連機器大手の昱能科技（海外ではHoymiles）などが名を連ねる。

2025年の半導体売上高は1億元を超える見込みで、今後も生産体制とサプライチェーンの整備に注力し、生産能力を拡大する方針。また、26年には全ての第3世代製品の開発を完了する計画だという。

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（36Kr Japan編集部）

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