英GaN半導体材料メーカー「Porotech」、シリーズAで約23億円を調達
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多孔質窒化ガリウム（GaN）による半導体材料およびマイクロLED技術を提供する英国の「Porotech」が、シリーズAで2000万ドル（約23億円）を調達した。リード・インベスターは「阿米巴資本（Ameba Capital）」、コ・インベスターは「Samsung Venture Investment」「Speedinvest」など。
Porotechの朱彤彤・CEO兼共同創業者は、今回調達した資金をマイクロLED製品の量産や事業拡大などに充てると説明した。
同社はケンブリッジ大学からスピンアウトした企業で、2020年1月に事業を開始し、多孔質GaN半導体材料を量産可能とする世界初の技術プラットフォーム「PoroGaN」を構築した。21年10月には、窒化インジウムガリウム（InGaN）ベースの赤色マイクロLEDディスプレーの試作に、世界で初めて成功している。
（36Kr Japan編集部）
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