英GaN半導体材料メーカー「Porotech」、シリーズAで約23億円を調達

36Kr Japan | 最大級の中国テック・スタートアップ専門メディア

日本最大級の中国テック・スタートアップ専門メディア。日本経済新聞社とパートナーシップ提携。デジタル化で先行する中国の「今」から日本の未来を読み取ろう。

短信

英GaN半導体材料メーカー「Porotech」、シリーズAで約23億円を調達

セミナー情報や最新業界レポートを無料でお届け

メールマガジンに登録

続きを読む

多孔質窒化ガリウム(GaN)による半導体材料およびマイクロLED技術を提供する英国の「Porotech」が、シリーズAで2000万ドル(約23億円)を調達した。リード・インベスターは「阿米巴資本(Ameba Capital)」、コ・インベスターは「Samsung Venture Investment」「Speedinvest」など。

Porotechの朱彤彤・CEO兼共同創業者は、今回調達した資金をマイクロLED製品の量産や事業拡大などに充てると説明した。

同社はケンブリッジ大学からスピンアウトした企業で、2020年1月に事業を開始し、多孔質GaN半導体材料を量産可能とする世界初の技術プラットフォーム「PoroGaN」を構築した。21年10月には、窒化インジウムガリウム(InGaN)ベースの赤色マイクロLEDディスプレーの試作に、世界で初めて成功している。

(36Kr Japan編集部)

セミナー情報や最新業界レポートを無料でお届け

メールマガジンに登録

関連キーワード

セミナー情報や最新業界レポートを無料でお届け

メールマガジンに登録