パワー半導体用ヒートシンク（放熱基板）製造を手掛ける中国企業「黄山谷捷（HuangShan Googe）」がこのほど、深圳証券取引所の新興企業向け「創業板（チャイネクスト）」にIPOを申請した。5億元（約100億円）の調達を計画しているという。

ヒートシンクはIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）モジュールを構成するもののひとつで、主に熱伝導（放熱）の役割を持つ。IGBTモジュールは、最下部にヒートシンクがあり、上部のDBC基板と接合され、その上にIGBTチップを置くという構造になっている。

IGBTモジュールには一般的に水冷方式が採用される。水冷方式はさらに間接方式と直接方式に分けられる。間接方式のヒートシンクはプレート型で、冷却液との間にシリコングリースを挟むため冷却液と直接触れることはなく、冷却効率は高くない。一方直接方式は針状のフィンを持つ放熱フィンを用いる。冷却液がフィンに直接触れ、また接触面積が大きいことから冷却効率が高く、現在はこの方式が主流となっている。針状放熱フィンは黄山谷捷の主要製品であり、2022年売上高（5億3700万元=約105億円）の96％以上を占めている。

黄山谷捷の主な顧客はいずれもパワー半導体の大手メーカーだ。世界トップの独インフィニオンのほか、米オン・セミコンダクター、独ボッシュ、日立製作所中芯国際集成電路製造（SMIC）などが含まれる。また、最終製品のほとんどが新エネルギー車向けで、その比率は2022年に96％を超えた。ドイツのフォルクスワーゲン（VW）やメルセデス・ベンツ、BMW、中国の理想汽車（Li Auto）、蔚来汽車（NIO）、吉利汽車（Geely Automobile）に採用されている。

（翻訳・36Kr Japan編集部）

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