半導体材料メーカー「英諾賽科（イノサイエンステクノロジー）」が、シリーズDで約30億元（約540億円）を調達した。リード・インベスターは「鈦信資本（TI-CAPITAL）」、コ・インベスターは「毅達資本（Addor Capital）」など。

2015年に設立されたイノサイエンスは、第3世代半導体と呼ばれる「GaN on Silicon」（シリコン基盤上に窒化ガリウム（GaN）などを用いた半導体）のリーディングカンパニーで、GaNを用いた高・低電圧チップの同時量産を世界で初めて実現したIDM（※注）企業だ。

同社の技術は世界トップクラスで、生産能力は中国国内1位。将来的には、データセンターや5G基地局、新エネルギー自動車（NEV）などの分野が同社の成長を支えていくとみられる。

GaNは、耐高温・高圧、高周波、高出力で、エネルギー変換効率が高く、サイズも小さいという特長を持つため、半導体材料として優れている。シリコン製デバイスに比べエネルギー損失を50％以上、装置容積を75％以上削減することが可能だ。

※IDM（Integrated Device Manufacturer）とは、自社内で回路設計から製造工場、販売までの全ての設備を持つ垂直統合型のデバイスメーカーのこと。

（36Kr Japan編集部）